Тип: внутренний; Емкость: 1 ТБ; Форм фактор: M.2 2280; Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4; Тип NAND памяти: 3D; Внешняя скорость записи: 4000 Мб/сек; Внешняя скорость считывания: 6000 Мб/сек; Наработка на отказ: 2 млн. ч; Ресурс: 320 TBW; Температура хранения: -40°C до 85°C